科学家间谍不稳定的复合半导体 - “可能会产生深刻的后果”

从卡迪夫大学的科学家们首次发现了以前在共同化合物半导体材料表面上看不见的“不稳定性”。

这些调查结果可能对我们日常生活的电子设备的未来材料开发产生深远的后果。

复合半导体是电子设备的组成部分，来自智能手机和GPS到卫星和笔记本电脑。

在2019年11月1日的领先期刊物理审查信中发表的新发现揭示了常用的化合物半导体材料的表面 - 砷化镓（GaAs）的表面 - 不像先前认为的那样稳定。

在卡迪夫大学的物理学和天文学学院和复合半导体研究所使用最先进的设备，该团队已经确定了在GaAs的原子结构中确定了具有出现趋势，然后消失的GaAs原子结构的小口袋。

这是在GaAs表面上观察到这一现象首次被称为“稳定性”。

来自卡迪夫大学的物理学和天文学学院Juan Pereiro Viterbo博士的共同作者说：“目前我们不知道这种现象是否影响了半导体器件结构的生长 - 这就是我们接下来所需的研究。

“如果在半导体器件的生长期间发生这种现象，那么这可能会产生深刻的后果。

“最终这些发现是帮助我们更好地了解分子尺度发生的情况，这将使我们能够开发新的材料和结构，减少现有化合物半导体器件中的缺陷，从而为我们的通信系统，计算机，手机开发更好的电子产品。汽车和更多。“

这一发现的关键是具有世界上其他任何地方的能力的设备的可用性。

物理学和天文学学院的实验室和化合物半导体研究所具有低能量电子显微镜与分子束外延机联合，允许研究人员观察材料结构的动态变化，同时制造复合半导体的材料结构。

分子束外延是用于制造或“生长”化合物半导体器件的技术，并通过在基板上烧制极热原子或分子的精确束来作用。分子在底物的表面上落地，冷凝，并在超薄层中非常缓慢地积聚，最终形成复杂的单晶。

“尽管GaAs进行了很好的研究，但在生长过程中使用低能量电子显微镜使我们能够观察到以前从未见过的动态事件，”维特波博士结束。

参考：K.Hannikainen，D. Gomez，J.Pereiro，Y.R.“Langmuir蒸发过程中的表面相迁移性”。 Niu和D.E.杰森，2019年11月1日，物理审查字母.DOI：
10.1103 / physrevlett.123.186102