SnS晶体为改善下一代太阳能电池开辟了道路

单硫化锡(SnS)除了具有出色的光电性能外,还因为其无毒的特性和丰富的特性,因此是用于下一代太阳能电池的有前途的材料。川西幸子(Sakiko Kawanishi)和铃木一生(Sessei Suzuki)领导的团队成功地生长了SnS的大单晶,这可以为制造具有高转换效率的SnS太阳能电池提供一条途径。

由p型和n型SnS组成的p-n同质结是高效获得SnS太阳能电池的关键。由于与容易制造的p型SnS相比制造n型SnS的复杂性,迄今证明这种太阳能电池的制造是困难的。

通过助熔剂生长技术生长的SnS晶体。通过向助熔剂中添加卤素获得大的单晶。

为了解决该问题,该团队设计了一种用于SnS晶体通量增长的原始进料组合物。这是以前尚未成功试用过的内容。通过添加卤素,在生长的晶体中出现了显着变化,即,除了包括n型导电特性外,晶体尺寸扩大到最大24 mm的宽度。较大的晶体降低了具有p-n同质结的SnS太阳能电池试制的投入,这加快了实际应用的开发速度。

这些重要结果已在今日(2020年8月21日)的《晶体生长与设计》中发表。

参考:川西幸子,铃木一生,大泽武夫,大桥直树,柴田裕之和大mat孝彦撰写的“由添加卤素的锡助熔剂生长n型SnS的大单晶”,晶体生长与设计,2020年8月21日。
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